Intel® 22 奈米技術

隆重介紹全球第一款可供量產的 3D 電晶體

3D、22 奈米:全新技術實現了前所未有的強大效能與極佳電源效率的組合。

Intel 利用嶄新技術打造未來的微處理器系列產品:以 22 奈米製程技術打造的 3D 電晶體。此款全新電晶體讓 Intel 得以不斷追隨摩爾定律 (Moore's Law) 的精髓,並確保技術持續演進以滿足消費者的期待。

以往,扮演微處理器核心的電晶體屬於 2D (平面) 裝置。Intel® 3D 三閘極 (tri-gate) 電晶體突破量產瓶頸,讓電腦晶片的結構改頭換面。深入瞭解電晶體的發展歷程

這也表示 Intel 能繼續引領業界,推出全球最快的超級電腦、極小型行動手持裝置等優質新品。

輕薄短小、成效更好

突破電晶體的大小與結構限制,便可讓終端使用者享有摩爾定律 (Moore's Law) 的效益。電晶體的體積愈小、電源使用效率愈高,成效自然愈佳。Intel 持續預測規律的「精緻化」製程技術,創下多項世界第一的記錄:2007 年推出 45 奈米 high-k 金屬閘極電晶體;2009 年推出 32 奈米電晶體;2011 年全球首款以邏輯製程技術打造的 22 奈米 3D 電晶體投入量產。

有了更輕巧的 3D 電晶體,Intel 得以設計出電源效率極佳的強大處理器。此新技術也實現了創新的微架構、系統單晶片 (SoC) 設計與新型產品,包括伺服器、電腦、智慧型手機與嶄新的消費產品。

3D 電晶體

Intel® 3D 三閘極 (tri-gate) 電晶體採用三個閘道,以 3D 結構包覆矽晶通道,實現了前所未有的強大效能與超高效能效率的組合。Intel 成功設計出這款全新電晶體,讓智慧型手機、平板電腦等手持裝置享有超低耗電量優勢,並可提供媲美高端處理器的極致效能。

推動處理器創新

全新低電壓電晶體的效率奇佳,讓 Intel® Atom™ 處理器設計團隊得以推出採用創新架構方式打造的 22 奈米 Intel® Atom™ 微架構。我們精心設計這款微架構,能將超低功耗 3D 三閘極電晶體技術的效益發揮到淋漓盡致。此外,採用 22 奈米 3D 三閘極電晶體的未來 SoC 產品將能實現小於 1 mW 的待機耗電量,為超低功耗 SoC 樹立新標竿。

Intel 持續引領潮流,嘉惠人類生活

第 3 代 Intel® Core™ 處理器於 2011 年底問世,是全球首款採用 3D 電晶體的量產晶片。

Intel 憑藉著 22 奈米 3D 電晶體技術持續穩坐伺服器、個人電腦、筆記型電腦、手持裝置等產品領域的龍頭寶座,讓消費者與企業皆能享有更快速的運算與圖形處理速度、更長效的電池續航力,以及更多元的輕盈纖薄規格。

 

Media Asset with Text Component (RWD)

相關影片

相關資料