改變儲存裝置的經濟效益

Intel® 3D NAND 技術讓我們在快閃記憶體的領導地位更進一步,擁有專為大容量與最佳化效能所設計的架構、經過實證的製造程序可加速轉變與擴充過程,以及能快速擴展至多個市場區隔的產品組合。

Intel 創新技術強化儲存容量

Intel 推出世上第一款搭載 Intel® QLC 技術的 PCIe* SSD。相較於前一代的 3D NAND,Intel® QLC 3D NAND 技術可額外提供高達 33% 的面密度1。同時獨家搭載 PCIe* 加速功能,提供可靠的效能與容量,為資料中心與用戶端市場的智慧儲存解決方案建立價值。

Intel® QLC 技術運用現有 3D NAND 並搭載經過實證的 64 層結構,在每個儲存單元額外加入一個位元,使每個單元擁有 4 個位元 (QLC),成為世上密度最高的快閃記憶體。此外,此技術運用浮閘儲存單元,這是可靠、低成本的儲存方法。最後,Intel® QLC 技術搭配 PCIe*- (NVMe*) 技術,提供比 SATA 介面多達 4 倍的效能優勢。2

Intel QLC 採用可靠的 Intel® 技術打造,並擁有 Intel 領先業界的製造支援,讓您為未來做好準備。

SSD 效能終於能滿足大型企業的價值

對資料中心來說,Intel® QLC 3D NAND 技術大幅減少 HDD 系統的佔用空間。3 需要維護的系統數量減少,代表可降低電源與冷卻的成本4,同時降低與更換硬碟機相關的營運與資金成本。5 在體積縮小的同時,效能卻更加強化。6 PCIe* 加速功能突破 SATA 瓶頸7,釋放 QLC 的完整威力。搭配選購的 Intel® Optane™ 技術,Intel® 3D NAND 技術資料中心產品可提供更為優異的效能2,為最關鍵的資料加快存取速度。

透過 Intel® SSD D5-P4320D5-P4326D5-P4420 系列所搭載的 Intel® QLC 技術,讓您成就更多、儲存更多、節省更多;目前限量提供,將於 2019 年全面上市。

實惠價格取得絕佳效能

Intel® QLC 3D NAND 技術讓消費者能解決現代的儲存需求,並對未來不斷增長的需求做好準備。這些用戶端 SSD 能比 TLC 型儲存裝置存放更多資料,在相同的佔用空間中提供高達 2 倍的儲存容量。1 只有 Intel 將此變革技術結合 PCIe*,提供實惠平價的 PCIe 效能。

購買 Intel® QLC 3D NAND SSD

專為容量與可靠度所打造

創新的 Intel® 3D NAND 技術,用以對應業界不斷成長的資料儲存容量需求。相較於市面上其他 NAND 解決方案,Intel® 3D NAND 技術以浮閘架構設計,具有更小的儲存單元尺寸和更高效率的記憶體陣列,可實現更高的容量解決方案,另有強大的電荷流失防護功能帶來的優異可靠度。

瞭解 3D NAND 如何精進儲存技術

Intel® 3D NAND 技術將摩爾定律推進三維領域,克服傳統 2D NAND 技術的限制。我們的 3D NAND 垂直層疊提供更高的面密度,同時保有未來的擴充性。

領導業界的創新

突破性的 64 層

Intel 運用 30 年的快閃儲存單元經驗,將 NAND 由 2D 轉變為 3D,從多層單元 (MLC) 轉變為三層單元 (TLC),並將 32 層的設計轉變為突破性的 64 層技術。這些努力都是為了提供最高的面密度8,並快速增加 3D NAND 解決方案的儲存容量。

多樣的產品組合

經過實證的製造程序

透過 3D NAND 技術,Intel 為各種產品組合提供創新、高價值的功能。透過我們將此架構融入 SSD 解決方案的設計經驗,讓我們能為每一代的產品快速改善效能、功耗、效能一致性和可靠度。

持續製造擴充性

提供顛覆性的商機

Intel 運用經過數十年實證的大量輸出製造程序打造 3D NAND 技術。透過我們工廠網路的強大世代整合,Intel 期望能以比市場更快的速度增加 3D NAND 容量,讓我們為客戶提供顛覆性的總持有成本,以及應用加速能力。

產品與效能資訊

1

三層單元 (tri-level cell, TLC) 每單元含有 3 位元的資訊,而四層單元 (quad level cell, QLC) 每單元含有 4 單元的資訊。計算為每單元多出 (4-3)/3 = 33% 位元。

 

2

4 節點 vSAN 叢集 – 1 節點系統組態:伺服器型號:Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS);MB:H48104-850;CPU:兩個 Intel® Xeon® Gold 6142 2.6G 處理器,16C/32T,10.4GT/s,22M 快取記憶體,渦輪加速,HT (150W) DDR4-2666;記憶體:16GB RDIMM,2666MT/s,Dual Rank x16;NIC:Intel X520-DA2 10GbE SFP+ DAC 和嵌入式 Intel X722 10GbE LAN。所有 TLC 組態:2x Intel® SSD Data Center P4610 系列 1.6TB 用於快取,4x Intel® SSD Data Center P4510 系列 4.0TB 用於容量儲存;Intel® Optane™ memory+QLC 組態:2x Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375GB 用於快取,2x Intel® SSD D5-P4320 7.68TB 用於容量儲存。2 工作負載:HCIBench:https://labs.vmware.com/flings/hcibench。 VM 數量:16,資料磁碟數量:8,資料磁碟大小:60,測試磁碟數量:8,工作集百分比:100,每磁碟執行緒數量:4,區塊大小:4K,讀取百分比:70,隨機百分比:50,測試時間:3600。結果:P4610+P4510 組態 = 83,451 IOPS @ 6.3ms 延遲。P4800x+P43220 組態 = 346,644 IOPS @ 1.52ms 延遲。 

 

3

比較 3.5 吋 4TB WD Gold TB 企業級 7200 RPM HDD(每 2U 可啟用最多 24 個 HDD,最大總額為 20U 和 960TB)和 30.72TB E1.L Intel® SSD D-5 P4326(將於日後推出,每 1U 可啟用最多 32 個 SSD,最大總額為 1U 和 983TB)。因此為 20 機架單位比 1 機架單位。

 

4

電力、冷卻、整合成本節省。根據於 HDD:7.2K RPM 4TB HDD,2.00% AFR 和 7.7W 有效功率,2U 中 24 個磁碟機(1971W 總功率)https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD:22W 有效功率,44% AFR,1U 中 32 個磁碟機(704W 總功率);冷卻成本係根據 5 年期的部署成本,1 Kwh 0.158 美元以及冷卻 1 瓦所需要的瓦數 1.20 根據於 3.5 吋 HDD 2U 24 磁碟和 EDSFF 1U 長 1U 32 磁碟。使用 Intel® TLC SSD 於快取記憶體的混合儲存裝置。

 

5

磁碟更換成本節省。計算:HDD 2% AFR x 256 個磁碟機 x 5 年 = 5 年更換 25.6 次;SSD:0.44% AFR x 32 個磁碟機 x 5 年 = 5 年更換 0.7 次。

 

6

比較 Intel D5-P4320 SSD 和 Toshiba N300 HDD 的 4K 隨機讀取 IOPS 和佇列深度 32。175,000 IOPS:從 Intel D5-P4320 7.68TB SSD 所測量的資料。4K 隨機讀取 IOPS;佇列深度 32。532 IOPS:根據 Tom’s Hardware 的 Toshiba N300 8TB 7.2K RPM HDD 效能標竿數據。4K 隨機讀取 IOPs;佇列深度 32:https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html。因此 4K 隨機讀取 IOPS 好上 329 倍。

 

7

PCIe* IOPS 係根據於模擬的 4K 隨機讀取,佇列深度 256、效能估計由 Intel 針對基於 Intel D5-P4320/D5-P4326 PCIe* 的 QLC SSD 以不同的容量進行:3.84TB、7.68TB、15.36TB 和 30.72TB。SATA IOPS 針對所有容量點設為 100K IOPS,此係根據目前 Micron 的競品 SATA 型 SSD 最大為 100K IOPS。Micron 5200 系列 NAND Flash SSD 資料表顯示 3.84TB 和 7.68TB 的 SKU 最大 4K 隨機讀取 QD32 IOP 為 95K IOPS。

8

比較由 Intel 所測量 512 GB Intel® 3D NAND 的面密度和具代表性的競品面密度,競品係根據 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference 之報告,其中提及 Samsung Electronics 與 Western Digital/Toshiba 的 64 層堆疊 3D NAND 元件晶粒大小。