Intel 18A 現已準備好客戶專案
進一步探索我們的平台簡介，進一步瞭解 Intel 18A 的突破性創新與產業優勢，以及更廣泛的 Intel Foundry 製程節點產品組合使用案例的詳細資訊。
Intel 18A 與眾不同之處
- 相較於 Intel 3 製程節點，每瓦效能提升高達 15%，晶片密度提升 30%。1
- 北美最早可用的次 2 奈米先進製程節點，為客戶提供具韌性的供應替代方案。
- 業界首創的 PowerVia 背面供電技術，將密度與單元使用率提升 5% 至 10%，同時減少電阻式供電電壓下降，因此可提升高達 4% 的 ISO 電源效能，與正面供電設計相比，大幅降低固有電阻（IR）下降。2
- RibbonFET 環繞式閘極（GAA）電晶體技術可精確控制電流。RibbonFET 可讓晶片元件進一步小型化，同時減少漏電，而這正是高密度晶片的關鍵問題。
- Omni MIM 電容器可大幅減少感應式功率下降，提升晶片穩定運作。這種能力對於生成式 AI 等現代工作負載至關重要，因為這類工作需要突發且高強度的運算能力。
- 完全由產業標準 EDA 工具和參考流程支援，可從其他技術節點順暢轉換。在 EDA 合作夥伴提供的參考流程支援下，我們的客戶可以在其他背面供電解決方案前率先開始使用 PowerVia 進行設計。
- 由逾 35 家業界領先的生態系統夥伴組成，涵蓋 EDA、IP、設計服務、雲端服務、航空與防禦等領域，有助於確保廣泛的客戶獲得支援，進一步簡化採用過程。
Intel 18A 家族持續擴充版圖
Intel 18A-P
以 Intel RibbonFET 和 PowerVia 技術的第二次實作為基礎，提供新一代效能，並且增強功耗效率。具備更低閾值電壓與漏電最佳化元件，以及新的細粒度導線寬度設計，此技術實現了顯著的效能/功耗提升與電晶體效能改善，3同時確保設計規則的相容性。
Intel 18A-PT
Intel 18A-PT 專為建置新一代 3DIC 設計的 AI 和 HPC 客戶而設計，利用 Intel 18A-P 的效能與功耗效率提升。Intel 18A-PT 採用業界領先的後端金屬堆疊、直透式 TSV 、晶粒對晶粒式 TSV 和先進的混合式接合介面（HBI）技術，提供無與倫比的擴充性與整合性，可讓客戶突破 AI 與高效能運算的界限。
PowerVia
隨著電晶體管密度增加，混合訊號和電源路由會造成效能降低的阻塞。Intel Foundry 業界首創的 PowerVia 技術將粗間距金屬層與凸點移至晶片背面，並在每個標準元件中嵌入奈米級矽通孔（nano-TSVs），以實現高效率的電力分配。
PowerVia 將標準單元使用率提升 5-10%，將 ISO 電源效能最高提升 4%。2
RibbonFET
RibbonFET 可嚴格控制電晶體通道的電流，進一步將晶片元件小型化，同時減少漏電，這是晶片密度日益增加時的關鍵問題。
RibbonFET 改善每瓦效能、最小電壓（Vmin）操作以及靜電，提供顯著的效能優勢。RibbonFET 也透過不同的導線寬度與多重閾值電壓（Vt）類型，提供高度可調性。
應用與使用案例
HPC 與 AI
對於需要最高效能與高功耗效率的應用，RibbonFET 卓越的通道控制系統提供更佳的每瓦電晶體效能，同時具備高驅動電流與良好可縮放性。
利用 AI 處理影像訊號、影片與視覺
PowerVia 能對工業應用的產品設計產生重大影響，這要歸功於它減少的紅外線降落、改善的訊號路由，以及更佳的前端單元利用率，有助於大幅降低耗電量。RibbonFET 的面積縮小，可將更多功能整合到更小的晶片，可供醫療與工業的小巧感應器使用。
行動與基頻處理器
為了因應行動應用的獨特需求，Intel 提供最佳化的 Intel 18A-P 處理節點。我們先進的製造技術有助於確保效能穩定可靠，而經過微調的閾值電壓則提供卓越的功耗效率。這有助於改善行動裝置的電池續航力。
航太與國防
新的航空與國防使用案例需要更強的運算能力，通常對尺寸、重量、電源與成本（SWaP-C）要求嚴苛。Intel 18A 的低內阻壓降為電力受限的應用提供所需的能源效率，同時帶來更卓越的效能表現。
Intel Foundry 入口網站
產品與效能資訊
基於截至 2024 年 2 月對 Intel 18A 與 Intel 3 進行比較的 Intel 內部分析。結果可能會有所差異。
基於截至 2024 年 2 月對 Intel 18A 與 Intel 3 進行比較的 Intel 內部分析。結果可能會有所差異。