Intel 日常使用的詞彙
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22nm 3-D 三閘極電晶體
Intel 的 3-D 三閘極電晶體使用三個以 3-D 結構環繞晶片通道的閘道,實現前所未有的效能與能源效率組合。Intel 成功設計出這款全新電晶體,讓智慧型手機、平板電腦等手持裝置享有超低功耗優勢,並可提供媲美高階處理器的極致效能。
A-C
通路
當電晶體處於「導通」狀態時,電晶體閘道下電流流動的區域。
晶片
包含整合式電子電路、微小且薄的正方形或長方形。晶片是在矽晶元上批次製造。晶片是封裝的晶粒。晶片也稱為處理器與微處理器。微處理器是電腦、伺服器、通訊產品和其他數位裝置的大腦。
電路
由特定配置中的電線相互連接以執行功能的電晶體網路。
無塵室
製造晶片的超潔淨實驗室。無塵室的空氣比一般醫院手術室潔淨千倍。
電腦輔助設計(CAD)
用於設計積體電路的電腦化工作站與軟體。
D-F
晶粒
晶片一般在封裝前的別名。另請參閱「晶片」。
蝕刻
在定義晶片上定義圖案化層的過程中,去除特定的材料部分。
晶圓廠
Intel 製造晶片的「製造設施」簡稱。
製程
晶片製作過程。
前開式晶圓傳送盒(FOUP)
晶圓廠自動化系統的一環,用以乘載及運送晶圓的一種容器。
G-J
閘道
電晶體的輸入控制區域,其中施加負電荷或正電荷以阻止或允許電流流動。
閘極介電層
閘極下方的薄層,用以隔離閘道與通道。
高介電常數材料
一種可替代二氧化矽作為閘道電介質的材料。具有良好的絕緣特性,可在閘道與通道之間產生高場效應。兩者都是高效能電晶體的理想特性。此外,由於高介電常數的材料可以比二氧化矽厚,同時保留相同理想的特性,因此可大幅減少電流洩漏。
K-O
光罩
一種在製程中用於在晶圓上印刷分層電路圖案、且類似模板的圖案。
摩爾定律
1965 年,戈登·摩爾(Gordon Moore )預測晶片上的電晶體數目每年會翻倍成長,這個見解後稱「摩爾定律」。1975 年,摩爾更新預測,即業界可放置在電腦晶片上的電晶體數目每隔兩年就會翻倍成長。隨著電晶體數目增加,每個電晶體的成本就會下降。
奈米
一米的十億分之一。
P-R
微影製程
利用紫外線與光罩定義所需圖案,在晶片上建立特定材料圖案的過程。
光阻劑
暴露在紫外線下後會變得可溶的物質。類似於照片底片,對紫外線敏感,但亦能抵抗某些蝕刻化學物質。用於定義晶片製程中的電路模式。
多晶矽
由許多晶體組成的晶片,也稱為多晶矽。這種導電材料用作晶片上的互連層。
S-U
半導體
一種可以改變以傳導電流或阻止電流通過的材料(如晶片)。
矽晶片
尋常海灘沙子的主要成分,也是用於製造晶片之晶圓元素。一種天然半導體,是地球上僅次於氧氣的最常見元素。
矽晶棒
由 99.9999% 純晶片組成的圓柱體。矽晶棒切成的薄晶片稱為晶圓。
應變矽
一層透過拉伸或壓縮來改變晶格中原子間距的矽。這可減少限制電子透過電晶體移動的原子力。它可實現更好的移動性、更佳的晶片效能以及更低的能耗。
電晶體
一種控制電流流動的開關。一個晶片可包含數百萬或數十億個電晶體。
超極緻筆電™
2011 年 6 月在 Computex 上宣佈的超極緻筆電™ 裝置規格與針對 Intel® Core™ 處理器所做的藍圖變更,正在支援這種新型裝置。超極緻筆電系統將輕薄外型與最佳效能、回應能力、安全性與電池續航力相結合,彌合桌上型/筆記型電腦與平板電腦之間的差距。
V-Z
晶圓
從圓柱形矽單晶棒切下的薄晶片。作為建構整合電路的基礎材料。
晶圓分類
一種電氣測試程序,可識別晶圓上功能不全的晶片。
皆位元組(ZB)
一個相當於六十億位元組的運算資訊單位。(數字後面接著 21 個零,足以儲存 4.4 萬億部高畫質電影。) 其他運算單元請見「十億位元組」。
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