關鍵元件

容量
1 TB
狀態
Discontinued
推出日期
Q2'19
使用條件
PC/Client/Tablet

效能規格

循序讀取 (高達)
2400 MB/s
循序寫入 (高達)
1800 MB/s
隨機讀取 (8GB 範圍) (高達)
330000 IOPS (4K Blocks)
隨機寫入 (8GB 範圍) (高達)
250000 IOPS (4K Blocks)
功率 - 活動中
5.8W
功率 - 閒置
L1.2 : <13mW

可靠性

振動 - 運作中
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
振動 - 非運作中
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
撞擊 (運作中與非運作中)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
作業溫度範圍
0°C to 70°C
最高作業溫度
70 °C
最低作業溫度
0 °C
耐用性評等 (生命週期寫入)
300 TBW
平均故障間隔時間 (Mean Time Between Failures)
1.6 Million Hours
無法修正位元錯誤率 (Uncorrectable Bit Error Rate)
< 1 sector per 10^15 bits read
保固期限
5 yrs

補充資訊

產品簡介
額外資訊 URL
描述
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

封裝規格

重量
Less than 10 grams
外型規格
M.2 22 x 80mm
介面
PCIe 3.0 x4, NVMe

進階技術

增強型電力中斷資料保護
溫度監控及登入
端對端資料保護
Intel® Rapid Start Technology