Intel® 14 奈米技術

Intel® 14 奈米技術

  • 用於打造高效能和低功耗產品

  • 用於量產的合格流程

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

14 奈米技術採用第 2 代 3D 三閘極 (tri-gate) 電晶體,實現傲視令人驚豔的極致效能、強大功能、超高密與理想的單一電晶體成本,應用於多種高效能與低功耗的產品。

搭載 Intel 技術的超快速省電裝置

14 奈米電晶體支援行動裝置、伺服器等多種產品,可有效提升效能並減少電源耗損。Intel® 14 奈米技術用於打造各種高效能及低功耗產品,包括伺服器、個人運算裝置、物聯網相關產品等。

觀看 Intel 院士 Mark Bohr 探討全新 14 奈米電晶體製程技術,並說明目前更高、更薄且更密集的三閘極 (tri-gate) 鰭片如何提供更優異的效能、減少主動耗電量並延長電池續航力,實現更優越的運算體驗。

與 22 奈米技術相較,Intel® 14 奈米技術提供更佳的擴充優勢。本款電晶體鰭片更高、更薄且更密集,可有效提高密度並降低電容。此款電晶體所需鰭片較少,進一步提升密度,SRAM 電路元面積幾乎只有 22 奈米技術的一半。

Intel 14 奈米製程與主要系統單晶片 (SoC) 產品現已通過認證且可進行量產,我們在美國的奧勒岡州 (2014 年) 和亞利桑那州 (2014 年) 以及愛爾蘭 (2015 年) 設有晶圓廠。