Intel® 22 奈米技術

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全球第一款可供量產的 3D 電晶體。

3D、22 奈米︰結合效能與電源效率

Intel 在 2011 年領導產業推出運用嶄新技術打造的微處理器系列產品︰以 22 奈米製程打造的 3D 電晶體。

以往,扮演微處理器核心的電晶體屬於 2D (平面) 裝置。Intel® 3D 三閘極 (tri-gate) 電晶體突破量產瓶頸,標誌著電腦晶片基礎結構的重大改變。將電晶體通道延伸至立體空間可改善對電晶體的控制,在開啟時最大化電流(以獲得最佳效能),亦可在關閉時最小化電流(簡少耗損)。

這些電晶體也讓 Intel 能繼續驅動從快速的超級電腦,到極小型行動手持裝置等世界級產品。

電晶體就是基礎

為了讓終端使用者享有摩爾定律 (Moore's Law) 的效益,電晶體的大小與結構便是關鍵的技術領域。電晶體的體積越小、電源使用效率越高,一般來說成效就會越佳。Intel 持續預測規律的「精緻化」製程技術,創下多項世界第一的記錄:2007 年推出 45 奈米 high-k 金屬閘極電晶體;2009 年推出 32 奈米電晶體;2011 年全球首款以邏輯製程技術打造的 22 奈米 3D 電晶體投入量產;2014 年則推出了 14 奈米製程的第 2 代 3D 三閘極 (tri-gate) 電晶體。

電晶體技術持續不斷的進步,使 Intel 設計出電源效率極佳的強大處理器。全新處理器也實現了創新的微架構、系統單晶片 (SoC) 設計與新型產品,包括伺服器、電腦、智慧型手機與嶄新的消費產品。

一窺 Intel 如何從矽晶開始製造 22 奈米的晶片

3D 電晶體

Intel® 3D 三閘極 (tri-gate) 電晶體採用三個閘道,以 3D 結構包覆矽晶通道,實現了前所未有的強大效能與超高效能效率的組合。Intel 成功設計出這款 3D 三閘極 (tri-gate) 電晶體,讓智慧型手機、平板電腦等手持裝置享有超低耗電量優勢,並可提供媲美高端處理器的極致效能。

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第 3 代 Intel® Core™ 處理器

第 3 代 Intel® Core™ 處理器於 2011 年底問世,是全球首款採用 3D 電晶體的量產晶片。