Intel® Memory Resilience Technology
用於分析和預測記憶體故障並隔離故障位元的記憶體 RAS 技術。
Intel® Memory Resilience Technology 使用案例
Intel® Memory Resilience Technology 利用我們的多維模型與演算法,在微架構層級挖掘及分析記憶體錯誤,可用於:
- 缺陷記憶體零件偵測與報告
- 預測性分頁離線以隔離故障位元
- 減少不必要的 DIMM 替換與維護工作
- 減少電子廢棄物並延長電子元件的壽命
案例研究與白皮書
SK hynix:Intel® MemoryResilience Technology
利用人工智慧進行預測性記憶體故障分析,協助資料中心減少記憶體錯誤。
Tencent:Tencent 的 Intel® Memory Failure Prediction
Intel® Memory Failure Prediction 透過線上機器學習大幅提升記憶體可靠性,並減少停機時間。
美團:Intel® Memory Failure Prediction 提高可靠性
Intel® Memory Failure Prediction 利用機器學習,在硬體故障前傳送潛在的記憶體故障警報,進而減少停機的影響。
JD Cloud:JD Cloud 的 Intel® Memory Failure Prediction
機器檢查架構復原(MCA 復原)+ Intel MFP 協助 JD Cloud 提供高效穩定的服務。
ByteDance:故障感知預測引導分頁離線可防止無法修正的記憶體錯誤
ByteDance 的實證評估,故障感知預測引導分頁離線相較於傳統作業系統政策,能防止超過 20 倍的 UE 數量。
Samsung:提高資料中心的記憶體可靠性
Intel® Memory Resilience Technology 利用精密遙測和人工智慧進行預測性故障分析與智慧預防,減少資料中心的記憶體錯誤。
文章與文件
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利用 Intel MFP 提供的記憶體失敗預測結果是估計值,可能因為系統硬體、軟體或組態差異而異。結果是以多維模型與演算法所得出,旨在預測潛在的記憶體失敗,並非記憶體失敗方面的陳述或保證。