Intel®主機板 D915GEV 的系統記憶體

文件

相容性

000007161

2021 年 06 月 30 日

系統記憶體功能
主機板有四個 DIMM 插槽,並且支援下列記憶體功能:

  • 1.8 V(僅)DDR2 SDRAM DIMM,具有鍍金接觸點
  • 未緩衝、單面或雙面 DIMM,具有以下限制:不支援具有 x16 組織的雙面 DIMM
  • 最大總系統記憶體 4 GB
  • 至少總系統記憶體:128 MB
  • 非 ECC DIMM
  • 序列出現偵測
  • DDR2 533 MHz 或 DDR2 400 MHz SDRAM DIMM
筆記
  • 在安裝或升級記憶體之前,請移除 PCI Express* x16 視訊卡,以避免干擾記憶體保留機制。
  • 為了完全遵守所有適用的 DDR SDRAM 記憶體規格,主機板上應安裝支援序列存在偵測 (SPD) 資料結構的 DIMM。這讓 BIOS 能夠讀取 SPD 資料,並程式設計晶片組,以精確設定記憶體設定以獲得最佳的顯示效果。如果安裝了非 SPD 記憶體,BIOS 將嘗試正確設定記憶體設定,但可能會影響性能和可靠性,或 DIMM 可能無法在決定的頻率下運作。

 

支援的 DIMM 配置

DIMM 容量配置SDRAM 密度SDRAM 組織前端/後端SDRAM 裝置數量
128 MBSS256 Mbit16 M x 16/空4
256 MBSS256 Mbit32 M x 8/空8
256 MBSS512 Mbit32 M x 16/空4
512 MBDs256 Mbit32 M x 8/32 M x 816
512 MBSS512 Mbit64 M x 8/空8
512 MBSS1 Gbit64 M x 16/空4
1024 MBDs512 Mbit64 M x 8/64 M x 816
1024 MBSS1 Gbit128 M x 8/空8
2048 MBDs1 Gbit128 M x 8/128 M x 816

 

注意第二欄是指雙面記憶體模組(包含兩排 DDR SDRAM),而 SS 是指單面記憶體模組(包含一排 DDR SDRAM)。

 

測試的記憶體

第 3 方測試的記憶體會按記憶體廠商的要求進行,並測試于不是 Intel 一部分的獨立記憶體空間內。由電腦記憶體測試實驗室 (CMTL) 測試的記憶體。

廠商自我測試的記憶體
Intel 為參與此計畫的記憶體供應商提供一般的記憶體測試計劃,作為記憶體穩定性的基本結帳。此處列出的記憶體不是由記憶體廠商測試,就是由 Intel 使用此測試計劃進行測試。這些零件編號可能無法在整個產品生命週期中隨時提供。

下表列出使用 Intel 的 Intel® 桌上型主機板 D915GEV 的自®測試的零件。

 

模組供應商
模組零件編號
模組大小
(MB)
模組速度
(MHz)
延遲
CL-tRCD-tRP
ECC 或
非 ECC?
Dimm
組織
模組
日期代碼
使用的元件
公司零件編號
重要*
CT16HTF6464AG53EB2
512MB5334-4-4非 ECCDSx80405Micron*
MT47H32M8FP-37E
關鍵
CT8HTF3264AG53EB3
256MB5334-4-4非 ECCSSx80405微米
MT47H32M8FP-37E
關鍵
CT4HTF1664AG53EB1
128MB5334-4-4非 ECCSSx160416微米
MT47H16M16FG-37E
Hynix*
HYMP512U648-C4
1GB5334-4-4非 ECCDSx80424Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP564U648-C4
512MB5334-4-4非 ECCSSx80424Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP264U648-C4
512MB5334-4-4非 ECCDSx80423Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP232U648-C4
256MB5334-4-4非 ECCSSx80418Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP532U646-C4
256MB5334-4-4非 ECCSSx160426Hynix
HY5PS121621F-C4
Hynix
HYMP216U646-C4
128MB5334-4-4非 ECCSSx160413Hynix
HY5PS561621F-C4
Infineon Technologies*
HYS64T128020HU-3.7-A
1GB5334-4-4非 ECCDSx80434Infineon 技術
HYB18T512800AF-3.7
Infineon 技術
HYS64T64000HU-3.7-A
512MB5334-4-4非 ECCSSx80446Infineon 技術
HYB18T512800AF-3.7
Infineon 技術
HYS64T32001HU-3.7-A
256MB5334-4-4非 ECCSSx80436Infineon 技術
HYB18T256800AF-3.7
Infineon 技術
HYS64T32000HU-3.7-A
256MB5334-4-4非 ECCSSx160436Infineon 技術
HYB18T512160AF-3.7
達科科技*
KVR533D2N4/512
512MB5334-4-4非 ECCSSx80000Ela*
E5108AB-5C-E
Micron*
MT16HTF12864AY-53ED4
1024MB5334-4-4非 ECCDSx80611微米
MT47H64M8B6
微米
MT18HTF12872AY-53EB1
1024MB5334-4-4EccDSx80511微米
MT47H64M8CB
微米
MT16HTF12864AY-53EB1
1024MB5334-4-4非 ECCDSx80511微米
MT47H64M8CB
微米
MT8VDDT6464AY-53ED7
512MB5334-4-4非 ECCSSx80612微米
MT47H64M8B6
微米
MT16HTF6464AG-53EB2
512MB5334-4-4非 ECCDSx80405微米
MT47H32M8FP-37E
微米
MT16HTF6464AY-53EB2
512MB5334-4-4非 ECCDSx80506微米
MT47H32M8BP
微米
MT8HTF6464AY-53EB3
512MB5334-4-4非 ECCSSx80504微米
MT47H64M8CB-37E
微米
MT8HTF6464AY-53EB8
512MB5334-4-4非 ECCSSx80519微米
MT47H64M8CB
微米
MT4HTF3264AY-53ED3
256MB5334-4-4非 ECCSSx160605微米
MT47H32M16BN
微米
MT4HTF3264AY-53EB1
256MB5334-4-4非 ECCSSx160524微米
MT47H32M16CC
微米
MT4HTF3264AY-53EB2
256MB5334-4-4非 ECCSSx160527微米
MT47H32M16CC
微米
MT8HTF3264AY-53EB5
256MB5334-4-4非 ECCSSx80524微米
MT47H32M8BP
微米
MT8HTF3264AG-53EB3
256MB5334-4-4非 ECCSSx80405微米
MT47H32M8FP-37E
微米
MT8HTF3264AY-53EB3
256MB5334-4-4非 ECCSSx80422微米
MT47H32M8BP
微米
MT4HTF1664AG-53EB1
128MB5334-4-4非 ECCSSx160416微米
MT47H16M16FG-37E
微米
MT4HTF1664AY-53EB1
128MB5334-4-4非 ECCSSx160434微米
MT47H16M16BG
Samsung*
M378T2953BG0-CD5
1024MB5334-4-4非 ECCDSx80414三星
K4T51083QB-GCD5
超級人才電子*
T533UB1GB
1024MB5334-4-4非 ECCDSx80515三星
K4T51083QB-ZCD5
三星
M378T6553BG0-CD5
512MB5334-4-4非 ECCSSx80412三星
K4T51083QB-GCD5
超級人才電子
T533UA512B
512MB5334-4-4非 ECCSSx80514三星
K4T51083QB-ZCD5
重要*
CT16HTF6464AG40EB2
512MB4003-3-3非 ECCDSx80402微米
MT47H32M8FP-5E
關鍵
CT8HTF3264AG40EB3
256MB4003-3-3非 ECCSSx80352微米
MT47H32M8FP-5E
關鍵
CT4HTF1664AG40EB1
128MB4003-3-3非 ECCSSx160352微米
MT47H16M16FG-5E
Hynix*
HYMP264U648-E3
512MB4003-3-3非 ECCDSx80421Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U648-E3
256MB4003-3-3非 ECCSSx80421Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP216U646-E3
128MB4003-3-3非 ECCSSx160418Hynix
HY5PS561621F-E3
Infineon 技術
HYS64T128020HU-5-A
1GB4003-3-3非 ECCDSx80437Infineon 技術
HYB18T512800AF-5
Infineon 技術
HYS64T64000HU-5-A
512MB4003-3-3非 ECCSSx80436Infineon 技術
HYB18T512800AF-5
Infineon 技術
HYS64T32001HU-5-A
256MB4003-3-3非 ECCSSx80438Infineon 技術
HYB18T256800AF-5
Infineon 技術
HYS64T32000HU-5-A
256MB4003-3-3非 ECCSSx160434Infineon 技術
HYB18T512160AF-5
微米
MT16HTF12864AY-40EB1
1024MB4004-4-4非 ECCDSx80504微米
MT47H64M8CB-5E
微米
MT8HTF6464AY-40EB8
512MB4003-3-3非 ECCSSx80523微米
MT47H64M8CB
微米
MT16HTF6464AG-40EB2
512MB4003-3-3非 ECCDSx80402微米
MT47H32M8FP-5E
微米
MT16HTF6464AY-40EB2
512MB4003-3-3非 ECCDSx80507微米
MT47H32M8BP
微米
MT8HTF6464AY-40EB3
512MB4003-3-3非 ECCSSx80504微米
MT47H64M8CB-5E
微米
MT8HTF6464AY-40EB9
512MB4003-3-3非 ECCSSx80507微米
MT47H64M8CB-5E
微米
MT8HTF3264AY-40EB3
256MB4003-3-3非 ECCSSx80528微米
MT47H32M8BP
微米
MT4HTF3264AY-40EB2
256MB4003-3-3非 ECCSSx160523微米
MT47H32M16CC
微米
MT4HTF3264AY-40EB1
256MB4003-3-3非 ECCSSx160521微米
MT47H32M16CC
微米
MT8HTF3264AG-40EB3
256MB4003-3-3非 ECCSSx80352微米
MT47H32M8FP-5E
微米
MT8HTF3264AY-40EB5
256MB4003-3-3非 ECCSSx80524微米
MT47H32M8BP
微米
MT4HTF1664AG-40EB1
128MB4003-3-3非 ECCSSx160352微米
MT47H16M16FG-5E
微米
MT4HTF1664AY-40EB1
128MB4003-3-3非 ECCSSx160434微米
MT47H16M16BG
三星
M368L2923DUN-CCC
1 GB4003-3-3非 ECCDSx80540三星
K4H510838D-UCCC
三星
M368L6523DUD-CCC
512MB4003-3-3非 ECCSSx80549三星
K4H510838D-UCCC
三星
M378T6453FG0-CCC
512MB4003-3-3非 ECCDSx80414三星
K4T56083QF-GCCC
三星
M378T3253FG0-CCC
256MB4003-3-3非 ECCSSx80414三星
K4T56083QF-GCC
超級人才電子
T400UB1GA
1024MB4003-3-3非 ECCDSx80512
HYB18T512800AF5
超級人才電子
T400UA512A
512MB4003-3-3非 ECCSSx80514三星
K4T51083QB-ZCD5
超級人才電子
T400UA256A
256MB4003-3-3非 ECCSSx80448三星
K4T56083QF-GCCC
微米
MT8VDDT6464AG-335D1
512MB3332.5-3-3非 ECCSSx80450微米
MT46V64M8TG-5E

 

更新日期:2006 年 11 月 30 日