為什麼記憶體模式下的 Intel® Optane™ 持續性記憶體不是持久記憶體？

• 為什麼記憶體不持久？它是否因其屬性而持久？
• DRAM 快取是如何運作的？這一切都是在沒有作系統支持的硬體中完成的嗎？

Intel® Optane 持續性記憶體是一項新興技術，其中非揮發性媒體被放置在雙列直插式記憶體模組 （DIMM） 上，並安裝在記憶體總線上。持續性記憶體 DIMM 與傳統揮發性記憶體 DRAM DIMM 並存。

持續性記憶體 DIMM 與 DRAM DIMM 的關鍵區別在於，當系統關閉或斷電時，儲存在它們上面的數據可以保留。

這允許它們用作永久存儲的一種形式，如硬碟驅動器 （HDD） 或固態驅動器 （SSD），但具有類似記憶體的延遲。

Intel® Optane™持續性記憶體 （PMem） 以 Intel® Optane™ Memory 技術為基礎，能夠保存更多數據，更靠近 CPU，以便加快處理速度（即「更暖」）。PMem 設計用於Intel® Xeon®可擴充平台處理器（代號 Cascade Lake）。

DCPMM 與 DDR4 DRAM DIMM 並存，支援兩級記憶體架構。最快的層是基於DRAM的「近記憶體」，較慢的層是DCPMM「遠記憶體」。。PMem 可以配置為用於不同的模式：記憶體模式、應用程式直接模式或記憶體模式和應用程式直接模式的組合，稱為“混合模式”。

在 記憶體模式下，PMems 在作系統的控制下充當揮發性系統記憶體。平臺中的任何 DRAM 都將充當與 PMems 協同工作的快取。

在 應用程式直接模式下，PMem 和 DRAM DIMM 在應用程式的直接載入/儲存控制下充當獨立的記憶體資源。這允許將 PMem 容量用作位元組可尋址的持續性記憶體，該記憶體映射到系統物理位址空間 （SPA） 並可由應用程式直接訪問。

在 混合模式下，PMem 容量的一部分用於 記憶體模式 ，其餘部分用於 應用程式直接模式。

App Direct 模式容量可用作 App Direct 上的區塊。在這種情況下，驅動程式會顯示對應用程式透明的傳統塊存儲介面，因此不需要修改它們。App Direct 阻止是通過塊轉換表通過寫入時複製優化來實現的，以提供電源故障寫入原子性。

否則，可以修改應用程式以使用持久記憶體感知檔案系統，通過直接載入/存儲機制訪問 App Direct 容量。這完全繞過了內核，併為持久記憶體提供了最短的代碼路徑。要瞭解有關持久記憶體的使用和程式設計的更多資訊，請參閱 持續性記憶體程式設計。