描述
嘗試在 Quartus® II 軟體與 MAX PLUS® II 軟體中的雙埠 RAM 中同時讀取和寫入相同位址時，有許多不同的可能性。
當 RAM 的輸出埠未註冊時，將會發生下列情況之一：
案例 1：讀取頻率的頻率大於寫入頻率的 2 倍。寫入頻率目前尚未寫入資料;因此，讀取頻率會存取舊的資料值。
案例 2：雙埠 RAM 使用相同的頻率進行讀取與寫入。新寫入的資料會顯示在輸出 （tEABDD），在時鐘邊緣下降之後。在頻率頻率較慢時，舊的資料值可能會在頻率上升邊緣之後不久出現，接著是新寫入的資料，這些資料會在邊緣下降後出現在 tEABDD 。
註冊 RAM 的輸出埠時，下列條件為：
案例 1：讀取頻率非常快（頻率> 1/tEABDD）。q 輸出讀取舊的資料值。
案例 2：雙埠 RAM 使用相同的頻率進行讀取與寫入。q 輸出讀取新寫的資料值。
案例 3：讀取與寫入頻率無關，而讀取頻率的頻率小於 1/tEABDD。q 輸出讀取新寫的資料值。
 | tEABDD 是 EAB 資料輸入到資料輸出的有效延遲為 FLEX®10K 裝置與 tESBDD 是 ESB 資料輸入資料的有效延遲APEXTm20K 裝置;這些參數在適當的裝置系列資料表中指定。 |