Intel 低鹵素裝置
「低鹵素」一詞目前並未明確定義,也未在本出版時由全球任何法律規定為要求。儘管如此,為了確保整個產業統一且一致的理解,Intel 採納了 JEDEC JEP 709 對「低鹵素」的定義,因為它與固態裝置有關。在 Intel 中,JEDEC JEP 709 的第 4 節中定義了「低鹵素」一詞,並用於識別含有溴和氯化阻燃劑低濃度溴和氯的固態裝置(BFR、CFR)。
Intel 採用 JEDEC 的定義
鹵素氟 (F)、碘 (I) 和吋 (At) 不在 JEDEC 的準則範圍內。溴 (Br) 和氯 (Cl) 是指這些元素的所有氧化狀態。JEDEC 的定義並未包含在處理過程中可能使用的材料中,但未保留在最終產品中的溴 (Br) 和氯 (Cl)。
根據 JEDEC 的說法,固態裝置必須符合以下所有要求,才能定義為「低鹵素」:
- 所有印製板層壓板包含在固態裝置中,應符合目前 IEC 61249-2 版本所定義的 Br 和 Cl「無鹵素」需求;
- 如果溴來源來自 BFR,則固態裝置內的每一種塑膠材料(不包括印刷板層壓板)應含有<1000 ppm(0.1%)的溴(溴)重量,如果氯源來自 CR,則以氯的重量<1000 ppm (0.1%)。 只要其來源為,固態裝置中所含的塑膠(裝置內含的印刷板層壓板除外),便可提高溴與氯的濃度不是 BFR,CFR。
- 雖然溴與氯的元素分析可以透過任何具有足夠靈敏度和選擇性、BFR 和 CFR 存在或沒有的分析方法執行,但應透過任何可接受的分析技術和/或材料宣告進行驗證,以允許明確識別特定溴或氯化合物,或是客戶與供應商之間同意的適當物質宣告。
以下是 Intel 的低鹵素裝置:
- ® Intel Agilex 9 FPGAs,Intel Agilex® 7 FPGAs,Intel Agilex® 5 FPGAs
- Stratix® IV、Stratix® V 和 Intel® Stratix® 10
- Cyclone® IV、Cyclone® V 和 Intel® Cyclone® 10
- Arria® II、Arria® V 與 Intel® Arria® 10
- HardCopy III、HardCopy IV 和 HardCopy V
- MAX® V 與 Intel® 最大® 10
- 序列組態 (EPCS、EPCQ、EPCQ-L、EPCQ-A)
這裡未列出的較舊裝置可能也是低鹵素裝置。請聯絡 Intel 以取得確認。Intel 打算在未來所有裝置上使用低鹵素素。
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