單事件翻轉（SEU）
單事件翻轉是由輻射引起的半導體器件鎖存狀態或存儲單元中的不良影響。
介紹
單事件翻轉（SEU）是由記憶元件中的電離輻射撞擊引起的，例如配置存儲單元、使用者儲存體和寄存器。在地面應用中，令人關注的主要電離輻射源是材料中放射性雜質發射的α粒子，宇宙射線與地球大氣相互作用產生的高能中子以及熱中子，在大多數情況下是熱化的高能中子，但也可以在人造設備中產生。過去 20 年的研究已經開發出高純度封裝材料，最大限度地減少了由 α 粒子輻射引起的 SEU 效應。不可避免的大氣中子仍然是今天SEU效應的主要原因。軟錯誤是隨機的，根據與能級、通量和細胞敏感性相關的概率發生。
Intel 多代流程以來一直在研究 SEU 對其裝置的影響，並且在透過 SEU 優化的物理佈局和制程技術降低軟錯誤率，以及軟錯誤緩解技術方面積累了豐富的經驗。Intel 推出了業界首個自動迴圈冗余檢查 （CRC），並消除了其他錯誤檢查解決方案常見的額外邏輯和複雜性要求。Intel® 裝置系列均使用 JEDEC JESD-89 規範規定的標準測試程式，使用Los Alamos武器中子研究（WNR）等設施進行 SEU 行為和效能測試。
Los Alamos中子科學中心（LANSCE）對Intel® FPGAs的SEU測試揭示了以下結果：
- 除 Stratix 10 外，所有產品的硬 CRC 電路和 I/O 寄存器均未觀察到 SEU 錯誤。
- 即使對於非常大的高密度FPGAs，也有數百年的平均功能中斷間隔時間 （MTBFI）。
Intel® Stratix®系列、Arria®GX 系列和 Cyclone® 系列FPGA系列具有內置專用硬電路，無需額外費用即可連續自動檢查 CRC。對於採用 28 奈米制程技術製造的產品和後續制程節點，除了增強的 CRAM 位翻轉檢測和修正外，Intel 還實施了 CRAM 翻轉位校正（清理）。您可以通過 Intel® Quartus® Prime 設計軟體輕鬆設置 CRC 檢查器。
如需其他緩解技術的詳細資訊，以及Intel FPGA裝置的 SEU 測試的詳細資訊，請聯絡您當地的 Intel 銷售代表或代理商。
文檔
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