由雲端發想。最佳化效能。

重點精華

  • 新一代 144 層 TLC Intel® 3D NAND 技術

  • 透過更短的延遲時間加速廣泛的雲端資料中心工作負載

  • 提升企業安全性與管理能力

  • 混合 I/O 的回應能力

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

因應各式各樣的工作負載,滿足現今對資料中心效能、管理功能與 I/O 的需求。

Intel® SSD D7-P5510 採用 144 層、TLC、Intel® 3D NAND 技術,為 All Flash Array 提供最佳化的效能與容量,讓 IT 效率與資料安全性更上層樓。Intel SSD D7-P5510 內含 Intel PCIe 4.0 控制器與韌體,為企業與雲端環境提供低延遲、強化的管理功能、可擴充性以及關鍵的全新 NVMe 功能。

此固態硬碟採用 U.2 15mm 外型規格,有 3.84TB 與 7.68TB 兩種容量可供選擇,而且 7.68TB 的寫入耐受度可達 1 DWPD(磁碟每日寫入量)。

低延遲是效能的驅動力

Intel SSD D7-P5510 以可預測的方式迅速提供高效能,可大幅加快 All Flash Array 的速度。D7-P5510 效能經過最佳化,相較於前一代的 Intel 固態硬碟,連續讀取效能提高 2 倍、1延遲降低 50%2,而且混合式工作負載 IOP 提高 50%(70% 讀取,30% 寫入)3

全新的 TRIM 架構採用資料集管理指令,進一步改善了實際工作負載的效能。最佳化的 TRIM 架構現在作為背景處理程序執行而不會干擾工作負載,並能在同時進行的 TRIM 期間改善效能和服務品質。TRIM 程序的寫入放大效應減少,效能強化,有助於硬碟達成耐用性目標。

韌體強化功能締造了硬碟效能、IT 效率、資料安全性以及管理功能

為了在日趨資料導向的世界提高 IT 效率與資料安全性,Intel SSD D7-P5510 具備各種專門設計的韌體強化功能。

動態多重命名空間增強了執行階段的佈建與儲存管理。以縮小的單一命名空間過度佈建硬碟,來改善耐用性與隨機寫入效能。4

  • LBA 格式支援功能擴充後,為主機軟體提供了彈性,可同時傳遞中繼資料與保護資訊以及有效負載資料。Intel SSD D7-P5510 支援下列磁碟區大小的 VSS:512/520/4096/4104/4160B。
  • Scatter Gather List (SGL) 讓主機無須調整資料,進而提升效能。
  • 增強的 SMART 監測能夠在不干擾 I/O 資料流(利用帶內機制和帶外存取權)的情況下回報硬碟健康狀態。
  • 裝置自檢則確保裝置功能正常運作,讓客戶體驗獲得改善。主機系統可要求儲存裝置 (SSD) 執行各種檢測,確保該裝置功能正常運作,包括 SMART 檢查、揮發性記憶體備份、NVM 完整性、磁碟壽命。
  • 遙測讓各式各樣的儲存資料可供存取,而且包含智慧型錯誤追蹤與記錄。如此一來便能更加可靠地找出問題並減輕嚴重性,還可支援資格判斷週期加速,最終讓 IT 效率得以提高。
  • 另外還支援 TCG Opal 2.0、Configurable Namespace Locking、Sanitize 與 Format NVM 這類額外的安全功能。
  • Power-Loss imminent (PLI) 保護方案內建自我檢測,可防止資料在系統突然斷電時遺失。只要搭配獨步業界的端點對端點資料路徑防護方案5,PLI 功能即可輕鬆部署於不容許系統級故障導致資料毀損的彈性資料中心。

NAND 技術業界領導者

Intel 的 144 層 3D NAND 技術締造獨步業界的表面密度6與資料保留,7讓企業客戶能夠放心擴充儲存陣列,跟上日益增長的需求。快速採用軟體定義以及超融合基礎架構,可提高最大化效率、更新既有硬體及提升伺服器敏捷度的需求,同時亦能維持運作可靠性。

企業伺服器製造商龍頭為因應此一態勢,早已公開採用效能可擴充、低延遲且持續創新的 PCIe/NVMe 型固態硬碟。滿足現今日益講究 I/O 密集工作負載的需求(包括人工智慧和分析),已成為任何企業策略的核心元素。

功能概覽

型號 Intel® SSD D7-P5510
容量與外型規格 U.2 15mm:3.84 TB、7.68 TB
介面 PCIe 4.0 x4、NVMe 1.3c
媒體 Intel® 3D NAND 技術、144 層、TLC
效能 128K 連續讀寫高達 7,000/4,194MB/s
隨機 4KB 讀寫高達 930K/190K IOPS
耐力 每日全碟寫入次數 1(最多 14 PBW)
可靠性

忽視無糾正誤碼率:每讀取 1017 位元 1 扇區

平均故障間隔: 2 百萬小時

功率

最大平均使用中寫入:18W

閒置:5W

保固 5 年有限保固

注意事項與免責聲明8

註腳 1-3 的組態:估計值與系統組態:主機板:Intel® Server Board S2600WFT,版本:R2208WFTZS,BIOS:SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847,平台架構:x86_64,CPU:Intel® Xeon® Gold 6140 CPU @ 2.30GHz,CPU 插槽:2 個,RAM 容量:32G,RAM 型號:DDR4,作業系統版本:centos-release-7-5,組建 id:1804,核心:4.14.74,NVMe 驅動程式:Inbox,Fio 版本:3.5,採用 Microsemi 的 PCIe 4.0 切換器。P5510、P5316 分別經過 JCV10100 與 ACV10005 韌體測試。

產品與效能資訊

1

序列讀取效能最高提升至 2 倍-此聲明係依據 Intel® SSD D7-P5510 128 KB 序列讀取 (7.0 GB/s) 與 Intel® SSD DC P4510 128 KB 序列讀取 (3.20 GB/s) 之比較。測試日期:2020 年 10 月。

2

改善延遲達 50% – 此聲明係根據在 6 (9s) 的 4 KB 隨機 75/25 工作負載。Intel® SSD D7-5510 (1100us) 的延遲狀況較 Intel® SSD DC P4510 (2539us) 改善 50%。測試日期:2020 年 10 月。

3

高達 50% 的混合工作負載 IOP ──聲明係根據 Intel® SSD D7-P5510、7.684TB 4KB 混合 70/30 (400K) 搭配 Intel® SSD DC P4510、8TB (266K)。測試日期:2020 年 10 月。

5

資料來源:洛斯阿拉莫斯。來源測試的硬碟:洛斯阿拉莫斯中子科學中心,https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php。10^6 中子加速因子。測試使用單一連接埠 SSDs、Intel® SSD DC S3520、Intel® SSD DC P3520、Intel® SSD DC P3510、Intel® SSD DC P4500、Intel® SSD DC S4500、Intel® SSD DC P4800X、Intel® SSD D7-P55XX、Intel® SSD D7-P56XX、Samsung PM953、Samsung PM1725、Samsung PM961、Samsung PM863、Samsung PM963、Samsung 860DCT、Samsung PM883、Samsung PM983、Micron 7100、Micron 510DC、Micron 9100、Micron 5100、Micron 5200、HGST SN100、Seagate 1200.2、SanDisk CS ECO、Toshiba XGS、Toshiba Z6000 硬碟。「無聲資料毀損率為零」是以 Intel 單一連接埠硬碟測量,累積測量時間> 500 萬小時。使用中子輻射判斷無聲資料毀損率,以及測量整體端對端資料防護的效益。造成 SSD 控制器資料毀損的原因包括游離輻射和 SRAM 不穩定。無聲錯誤是透過在執行階段和當硬碟「當機」後重新開機時,比較期望中的資料與硬碟實際傳回的資料來進行測量。資料毀損的年發生率是推算而得,從加速測試期間的發生率,除以射線的加速(請參閱 JEDEC 標準 JESD89B/C)。

6

資料來源:: ISSCC 2015 J.Im;ISSCC 2017 R Yamashita;ISSCC 2017 C Kim;ISSCC 2018;H.Maejima;ISSCC 2019 C.Siau。

7

執行量測時所用的零組件來自採用浮閘和電荷儲存式快閃記憶體技術的 SSD。量測所用的平台為 Teradyne Magnum 2 Memory 測試系統,使用隨機模式的程式設計和差數以客戶指令進行量化。2019 年 8 月的量測資料。

8

效能因使用情形、配置和其他因素而異。請造訪 www.Intel.com.tw/PerformanceIndex 進一步瞭解。

效能結果係依配置中所示日期的測試為準,且可能無法反映所有公開可用的安全性更新。請參閱設定檔配置的詳細資訊支援。沒有產品或元件能提供絕對的安全性。

您的成本和成果可能有所落差。

Intel 並不控制或審核第三方的資料。您應該參考其他來源以評估準確性。

Intel 技術可能需要搭配支援的硬體、軟體或服務啟動才能使用。