先進小晶片封裝

Intel Foundry 提供各式各樣的配置。Intel Foundry Advanced System Assembly 和 Test (Intel Foundry ASAT) 或 Outsourced Semiconductor Assembly and Test (OSAT) 皆是打造晶片的利器。接著，我們透過最佳化的互連方式連接，協助帶動 Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) 等產業標準。

我們可協助您結合前端與後端技術，打造系統層級最佳化的解決方案。此外，我們的廠房穩健、分散於不同的地理區域，而且產量高，組裝規模與深度和測試功能皆無與倫比。

2.5D 的嵌入式多晶片互連橋接技術 (EMIB 2.5D)

2.5D 的嵌入式多晶片互連橋接技術 (EMIB 2.5D)。

• 連接多個複雜晶粒的高效方式，而且符合成本效益。
• 適用於邏輯-邏輯與邏輯-高頻寬記憶體（HBM）的 2.5D 封裝。
• EMIB-M 在橋接器採用 MIM 電容器。EMIB-T 將 TSV 加入橋接器。
• 用於端對端連接的封裝基板內嵌式矽橋。
• EMIB-T 可簡化其他封裝設計實現 IP 整合的過程。
• 簡化的供應鏈與組裝流程。
• 經實證的生產方式：自 2017 年起採用 Intel 與外部廠商矽晶片大規模量產。

欲了解更多，請參閱 EMIB技術簡報

Foveros-S 2.5D

新一代成本/效能最佳化的封裝技術。

• 搭載 4 倍光罩的矽內插器。
• 適用於用戶端應用情境。
• 非常適合有多個頂層晶粒小晶片的解決方案。
• 經實證的生產方式：自 2019 年起採用主動式基礎晶粒大規模生產。

欲了解更多，請參閱 Foveros 2.5D 技術簡報

Foveros-R 2.5D

採用重佈線層（RDL）內插器，可建立小晶片之間的異質整合。

• 適用於用戶端與對成本敏感的市場區隔。
• 非常適合多重頂層晶粒小晶片需要複雜功能解決方案的需求。
  
• 2027 年準備投產。

欲了解更多，請參閱 Foveros 2.5D 技術簡報

Foveros Direct 3D

在主動式基礎晶粒進行小晶片的 3D 堆疊，實現優異的每位元功耗效能。

• 銅對銅混合式接合介面（HBI）。
• 超高頻寬與低功耗互連。
• 高密度與低阻力的晶粒對晶粒互連。
• 適用於用戶端與資料中心應用情境。
• 在 3.5D 的嵌入式多晶片互連橋接技術（EMIB 3.5D）實現 Foveros Direct 堆疊的解決方案。

欲了解更多，請參閱 Foveros Direct 3D技術簡報

3.5D 的嵌入式多晶片互連橋接技術 (EMIB 3.5D)

同一個封裝結合 3.5D 的嵌入式多晶片互連橋接技術與 Foveros。

• 支援具有各種晶粒的靈活彈性異質系統。
• 非常適合必須在單一封裝結合多個 3D 堆疊的應用情境。
• Intel® Data Center GPU Max Series SoC：使用 3.5D 的嵌入式多晶片互連橋接技術，打造 Intel 量產史上最複雜的異質晶片，其中包含逾 1000 億電晶體、47 個主動式晶粒，以及 5 個製程節點。