Intel 14A

跨世代進步

• 搭載 RibbonFET 2 環繞式閘極電晶體與 PowerDirect 晶背供電，實現劃時代效率與效能。
• 相較於 Intel 18A，相同功耗效能提升 15–20%，或相同效能功耗降低 25–35%，且晶片密度最高提升 30%。¹
• Turbo Cells 加速 CPU/GPU 效能，讓設計師能針對目標應用，微調區塊級功耗與效能權衡。

Intel 18A

創新技術領先業界

• 推出業界首創的 RibbonFET 環繞式閘極電晶體與 PowerVia 晶背供電組合。
• 相較於 Intel 3，相同功耗效能最高提升 18%，相同效能功耗降低 38%，且晶片密度提升 30%。²
• PowerVia 可提升標準元件利用率並降低壓降，進而強化供電能力與效能效率。
• RibbonFET 可改善靜電控制、提高每瓦效能，並支援更低的 Vmin 運作。
• 完整的生態系統支援與設計實現，讓您為設計準備就緒。
• Intel 18A 節點家族還包括 Intel 18A-P，不僅每瓦效能最高提升 9%、電源效率更高³，還提供專為先進 3DIC 整合打造的 Intel 18A-PT。

進一步瞭解

Intel 3

我們極致的 FinFET 節點

• 運用 EUV 與增強後的元件庫，提升驅動電流與互連效率。
• 相較於 Intel 4，相同功耗效能提升 18%，晶片密度最高提升 8%。⁴
• 一般運算應用的理想選擇，兼顧效能與效率。
• 這個家族包括 I/O 與類比功能更豐富的 Intel 3-E，以及提供直通式 TSV 實現高密度堆疊的 Intel 3-T。
• 已量產，目前僅以設計服務節點方式提供。

Intel 與 聯華電子 12 奈米製程節點

協作創新

• 與聯華電子共同開發，結合 Intel 的 FinFET 專才與聯華電子的邏輯與 RF 經驗。
• 相較於聯華電子的 14 奈米技術（14FFC），使用最佳化的 FinFET 裝置，效能提升 10%，而電壓降低後則可減少 20% 的功耗。
• 專為行動通訊、無線與網路市場最佳化。
• 提供多元且具韌性的供應鏈替代方案，支援高成長應用。

Intel 16

兼具 FinFET 優勢與平面電晶體的靈活性

• 光罩用量更少，後端設計規則簡化，提供 16 奈米級效能。
• 非常適合儲存裝置、RF、mmWave 與消費性應用。
• 在廣泛的通道長度範圍內，短通道行為皆獲得改善。
• 在愛爾蘭 Intel Foundry Fab 24 量產。

Intel Foundry Accelerator 生態系統聯盟

享受 IP、EDA、設計服務、雲端、USMAG、價值鏈與小晶片聯盟等生態系統夥伴提供的全方位關鍵領域支援。

進一步瞭解

業界領導者信任 Intel Foundry

Intel 18A 產品現已上市，節點組合也愈來愈豐富，Intel Foundry 效能與效率領先，深受客戶青睞。

我們宣佈計劃將 Intel Foundry 作為子公司，為客戶提供更完善的保障和更清晰的業務分離。