採用尖端的製程技術打造
充分利用 Intel 持續創新的傳承,而 Intel 晶圓代工正是目前延續這項傳承的推手。
探索我們的進階製程技術
Intel 在過去 20 年來推動重大的電晶體創新。憑藉在製造鰭式場效電晶體(FinFET)方面的領導地位,我們將 2D 電晶體通道提升至三維,大幅改善了對流經通道之電子的控制。
這些電晶體以較低的電壓運作,漏電率較低,提供了前所未有的改良效能與能源效率組合。因此,電晶體比以往更小、更快,且功耗更低。
自近十年前推出 FinFET,我們便不斷推陳出新 、精益求精。現在,我們利用 RibbonFET 與 PowerVia 突破性的技術推動新一代的電晶體創新。
Intel 16:FinFET 的理想閘道
具有平面靈活性的 FinFET 優勢:
- 具有更少光罩和更簡單的後端設計規則的 16 奈米級節點效能。
Intel 3:Intel 無與倫比的 FinFET 節點
每瓦高效能,採用大量極紫外光(EUV):
- Intel 4 的演變,邏輯擴充為 0.9 倍,每瓦效能改善 17%1。
- 增加更密集的程式庫、改善的驅動電流與互連,同時受益於 Intel 4 學習成果,實現更快的良率提升。
- 非常適合一般運算應用。
Intel 18A:自 FinFET 以來的最大創新
隆重推出 RibbonFET 與 PowerVia:
- 自 Intel 於 2011 年 將 FinFET 引進 HVM 以來的最大創新。
- 相較於 FinFET,環繞式閘極(GAA)電晶體改善了密度與效能。
- 最佳化的帶狀堆疊提供卓越的每瓦效能與最低的電源電壓(Vmin)。
- PowerVia 是 Intel 獨特的業界首創後側供電架構實現,可將標準單元使用率提高 5-10%,效能提升 5%2。
- 非常適合高效能運算(HPC)與行動應用程式。
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為了協助您打造新一代的晶片,我們透過在世界各地的製造基地大量投資,推動全球領導地位。我們獨特的產品得益於進階的製程技術,並輔以強大的夥伴生態系統。
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注意事項與免責聲明3
產品與效能資訊
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根據 Intel 內部分析。
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