採用尖端的製造業製程技術打造
透過 Intel Foundry 充分運用一流的製程創新。
一流的製程創新
Intel Foundry Direct Connect 2025 提供最新的藍圖更新，包括：
- Intel 14A 的增強版 Intel 14A-E。
- Intel 18A 家族延伸的 Intel 18A-PT。
- Intel 18A 的新專用節點。
- 預計與 Tower Semiconductor 共同開發 65 奈米成熟製程節點。
準備好設計的客戶可以立即著手與 Intel Foundry 聯繫合作。
Intel 18A: 業界領先的創新技術
隆重推出 RibbonFET 與 PowerVia：
- Intel 18A 已準備好開始完整的產品設計。
- PowerVia 是 Intel 獨特的業界首創後側供電架構實作，可將標準單元使用率提高 5-10%，ISO 功率效能提升高達 4%。1
- 相較於 FinFET，Intel 晶圓代工實作的環繞式閘極（GAA）電晶體 RibbonFET 有效改善了密度與效能。
- 最佳化的帶狀堆疊提供卓越的每瓦效能與最低的電源電壓（Vmin）。
- Omni MIM 電容器可顯著降低感應功率下降問題，加強晶片穩定運行，對生成式 AI 等現代工作負載更是如此。
- Intel 18A 家族持續拓展，為客戶提供專為客製化、尖端的新解決方案，滿足他們獨特的需求。
Intel 3: Intel 無與倫比的 FinFET 節點
每瓦高效能，採用大量極紫外光（EUV）:
- Intel 4 的演變，晶片密度提升 1.08 倍，每瓦效能提升 18%。2
- 增加更密集的程式庫、改善的驅動電流與互連，同時受益於 Intel 4 學習成果，實現更快的良率提升。
- 非常適合一般運算應用。
12 奈米: 與 UMC 合作，擴大客戶選項
透過創新合作夥伴關係擴大我們的產品組合：
- UMC 與 Intel Foundry 合作開發 12 奈米技術平台，結合 Intel 的 FinFET 專業知識與 UMC 的邏輯與混合模式/RF 體驗。
- 與業界 12 奈米相比更具競爭力。3
- 為客戶提供更豐富的採購決策選項，讓他們獲得更地域多元化且更具韌性的供應鏈。
- 非常適合行動通訊、無線連線和網路應用程式等高成長市場。
Intel 16: 理想的 FinFET 的入門平台
具有平面靈活性的 FinFET 優勢：
- 具有更少光罩和更簡單的後端設計規則的 16 奈米級節點效能。
現正預覽: Intel 14A 與 Intel 14A-E
採用 PowerDirect 與 RibbonFET 2
- PowerDirect 是我們的第二代背面電源輸送網路。
- RibbonFET 2 是我們的第二代環繞式閘極技術。
- 隆重推出 Turbo Cell，搭配 RibbonFET 2 時，我們的增強型單元技術還可進一步提升速度（包括 CPU 最大頻率與 GPU 關鍵路徑）。Turbo Cells 讓設計人員能夠在一個設計區塊中最佳化效能更強的單元與更節能的單元組合，為特定應用在功率、效能和面積之間實現量身打造的平衡。
- 業界首創的高數值孔徑（High NA）EUV，能以符合成本效益的方式列印較小的製程特徵。
業界領導者信任 Intel Foundry
客戶胸有成竹地選擇 Intel Foundry。全球兩大雲端服務供應商宣佈採用 Intel 18A 技術的產品，這是已公佈的九項英特爾 18A 獎的一部分。
我們宣佈計劃將 Intel Foundry 作為子公司，為客戶提供更完善的保障和更清晰的業務分離。
Intel Foundry Shuttle
我們的公共多產品晶圓計畫可利用 Intel 尖端技術進行設計原型。
Intel Foundry 入口網站
注意事項與免責聲明4
產品與效能資訊
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適用於高效能運算與 SoC 產品應用的 Intel 3 進階 FinFET 平台技術亮相 2024 VLSI 研討會。
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根據節點設計規格。
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本網頁包含 Intel 的未來規劃或期望的前瞻性陳述，包括有關未來技術和產品，以及此類技術和產品的預期優勢與供貨狀況等陳述。這些陳述基於目前的期望，並且涉及許多風險和不確定性，可能導致實際結果與此類陳述中明示或隱含的結果大不相同。如需可能導致實際結果出現重大差異之因素的更多資訊，請至 www.intc.com，查看我們的最新收益發布與 SEC 文件存檔。