採用尖端的製程技術打造
充分發揮 Intel 持續創新的傳統，而 Intel 晶圓代工正是目前延續這項傳統的推手。
四年五節點（5N4Y）
Intel 的願景是在四年內順利推進至五節點（5N4Y），且在 Intel 2024 年 Intel Foundry Direct Connect 活動公佈了擴充製程技術的發展藍圖：
- 將 Intel 14A 納入尖端的節點計畫中，
- 特別針對 Intel 3、Intel 18A 和 Intel® 14A 發展節點，包括適用於 3D 進階封裝設計的 Intel 3-PT 矽穿孔，以及
- 成熟的製程節點，包括與 UMC 共同開發的新型 12 奈米節點。
準備好開始設計的客戶可以立即著手與 Intel 晶圓代工聯繫合作。
Intel 18A：自 FinFET 以來的最大創新
隆重推出 RibbonFET 與 PowerVia：
- 自 Intel 於 2011 年 將 FinFET 引進 HVM 以來的最大創新。
- 相較於 FinFET，Intel 晶圓代工實作的環繞式閘極（GAA）電晶體 RibbonFET 有效改善了密度與效能。
- 最佳化的帶狀堆疊提供卓越的每瓦效能與最低的電源電壓（Vmin）。
- PowerVia 是 Intel 獨特的業界首創後側供電架構實作，可將標準單元使用率提高 5-10%，ISO 功率效能提升高達 4%。1
- 非常適合高效能運算（HPC）與行動應用程式。
Intel 3：Intel 無與倫比的 FinFET 節點
每瓦高效能，採用大量極紫外光（EUV）：
- Intel 4 的演變:晶片密度提升 1.08 倍，每瓦效能提升 18%。2
- 增加更密集的程式庫、改善的驅動電流與互連，同時受益於 Intel 4 學習成果，實現更快的良率提升。
- 非常適合一般運算應用。
12 奈米：與 UMC 合作，擴大客戶選擇
透過創新合作夥伴關係擴大我們的產品組合：
- UMC 與 Intel 晶圓代工合作開發 12 奈米技術平台，結合 Intel 的 FinFET專業知識與 UMC 的邏輯與混合模式/RF 體驗。
- 與業界的 12 奈米競爭。3
- 為客戶提供更豐富的採購決策選擇，讓他們獲得更地域多元化且更具韌性的供應鏈。
- 非常適合行動通訊、無線連線和網路應用程式等高成長市場。
Intel 16：FinFET 的理想閘道
具有平面靈活性的 FinFET 優勢：
- 具有更少光罩和更簡單的後端設計規則的 16 奈米級節點效能。
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Intel 14A：第 2 代 PowerVia 結合 RibbonFET
業界首創的高數值孔徑（High NA）EUV
- High NA 是以高成本效益的方式擴大規模的基礎。
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為了協助您打造新一代的晶片，我們透過在世界各地的製造基地大量投資，推動全球領導地位。我們獨特的產品得益於進階的製程技術，並輔以強大的夥伴生態系統。
Intel Foundry Portal
注意事項與免責聲明4
產品與效能資訊
2
適用於高效能運算與 SoC 產品應用的 Intel 3 進階 FinFET 平台技術亮相 2024 VLSI 研討會。
3
根據節點設計規格。
4
本網頁包含 Intel 的未來規劃或期望的前瞻性陳述，包括有關未來技術和產品，以及此類技術和產品的預期優勢與供貨狀況等陳述。這些陳述基於目前的期望，並且涉及許多風險和不確定性，可能導致實際結果與此類陳述中明示或隱含的結果大不相同。如需可能導致實際結果出現重大差異之因素的更多資訊，請至 www.intc.com，查看我們的最新收益發布與 SEC 文件存檔。