Intel® Stratix® 10 MX FPGA
Intel® Stratix® 10 MX FPGA 是必要的多功能加速器，適用於 High Performance Computing（HPC）、資料中心、虛擬網路功能（NFV）與廣電應用。 這些裝置將 Intel® Stratix® 10 FPGA 與 SoC FPGA 的可程式性及靈活性與 3D 堆疊的高頻寬記憶體 2（HBM2）相結合。Intel® Hyperflex™ FPGA 架構支援高效能核心結構，可有效率地利用封裝內記憶體晶片上的頻寬。DRAM 記憶體晶片採用 Intel 「嵌入式多晶片互連橋接」（EMIB）技術，以實體方式連接至 FPGA。
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Intel® Stratix® 10 MX FPGA
功能與優勢
更高的記憶體頻寬
相較於目前的離散式記憶體解決方案（如 DDR4 SDRAM），Intel® Stratix® 10 MX 裝置提供更多 10 倍的頻寬。傳統的 DDR4 DIMM 提供約 21 Gbps 的頻寬，而 1 個 HBM2 晶片則能提供最高達 256 Gbps。Intel® Stratix® 10 MX 裝置可在單一封裝中整合最多兩個 HBM2 裝置，實現最高 512 Gbps 的最大記憶體頻寬。
降低功耗與每瓦最佳效能
Intel® Stratix® 10 MX 裝置除核心結構外還整合了 HBM2 記憶體。核心結構和記憶體之間的互連明顯更短，進而減少了傳統上用於驅動長 PCB 走線的耗電量。走線未終止，使電容負載降低，進而降低 I/O 電流消耗。最終結果帶來較低的系統功耗與每瓦最佳效能。
小巧外型規格且易於使用
Intel® Stratix® 10 MX 封裝整合了記憶體元件，進而降低 PCB 設計的複雜度。此執行方式支援更小巧的外型規格及簡單的使用模式，進而形成高度靈活、易於使用、可擴充的解決方案。此功能特色的一個範例是配備嵌入式（eSRAM），它以更高的頻寬補充現有的區塊 RAM，相較於離散式 QDR IV-10661，聚合（讀取及寫入）頻寬更高 11.25 倍，總功耗降低 2.6 倍。增強的嵌入式 SRAM 十分適合需要最高層級隨機交易率（RTR）的應用，有助於取代或最小化對離散式 QDR 的需求，以及零 EMIF I/O 消耗。
採用 EMIB 的晶片級整合
Intel 開發創新的嵌入式多晶片互聯橋接（EMIB）封裝技術，可實現類比、記憶體、ASIC、CPU 等系統關鍵元件的有效封裝內整合。相較於其他封裝內整合技術，EMIB 提供了更簡單的製造流程。 EMIB 消除了矽穿孔（TSV）與專用中介層晶片的使用。結果帶來高度整合的系統級封裝產品，可提供更高的效能、更低的複雜度，以及優異的訊號和電源完整性。 進一步瞭解 Intel EMIB 技術。
記憶體
封裝 FPGA 與近記憶體
Intel 的近記憶體解決方案在相同的封裝內整合了鄰近 FPGA 的高密度 DRAM。 相較於傳統的主記憶體，在此配置中，封裝內記憶體的存取速度明顯提升，頻寬提升最高 10 倍。近記憶體配置還透過減少 FPGA 與記憶體間的走線來降低系統功耗，同時還減少了主機板面積。
DRAM 系統級封裝（SiP）解決方案利用高頻寬記憶體 2（HBM2）來消除處理資料量與日俱增的高效能系統中的記憶體頻寬瓶頸；包括資料中心、廣播、有線網路及高效能運算系統。
HBM2 DRAM
HBM2 DRAM 是一種 3D 記憶體，它採用矽穿孔（TSV）技術垂直堆疊多個 DRAM 晶粒。相較於離散式 DDR 型解決方案，HBM2 DRAM 提供更高的記憶體頻寬、更低的系統功耗和更小巧的外型規格，進而提供最佳的每瓦頻寬。
Intel® Stratix® 10 MX 裝置整合了 HBM2 晶片與高效能單片 14 奈米 FPGA 晶粒，相較於離散式 DRAM 解決方案，記憶體頻寬提升 10 倍 以上。
其他資源
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